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馬鞍山市華友重工機(jī)械有限公司

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重慶芯片導(dǎo)電膠

發(fā)布時(shí)間:2024-11-22 13:53:31   來(lái)源:馬鞍山市華友重工機(jī)械有限公司   閱覽次數(shù):95次   

「半導(dǎo)體專題講座」芯片測(cè)試(Test)

2.半導(dǎo)體測(cè)試(工藝方面):WaferTest/PackageTest/ModuleTest

包裝測(cè)試(Package Test)也包括可靠性測(cè)試,但它被稱為終測(cè)試是因?yàn)樗窃诋a(chǎn)品出廠前對(duì)電氣特性進(jìn)行的終測(cè)試(Final Test)。包裝測(cè)試是重要的測(cè)試過(guò)程,包括所有測(cè)試項(xiàng)目。首先在DC/AC測(cè)試和功能(Function)測(cè)試中判定良品(Go)/次品(No-Go)后,在良品中按速度劃分組別的Speed Sorting(ex.DRAM)模組測(cè)試(Module Test)是指在PCB上安裝8-16個(gè)芯片后進(jìn)行的,因此也稱為上板測(cè)試(Board Test)。Module Test在DC/Function測(cè)試后進(jìn)行現(xiàn)場(chǎng)測(cè)試,以確??蛻裟軌蛟趯?shí)際產(chǎn)品使用環(huán)境中篩選芯片。如果在這個(gè)過(guò)程中發(fā)現(xiàn)了不良的芯片,就可以換成良品芯片重新組成模塊。DDR3(double-data-rate three synchronous dynamic random access memory)。重慶芯片導(dǎo)電膠

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「半導(dǎo)體工程」半導(dǎo)體?這點(diǎn)應(yīng)該知道:(8)Wafer測(cè)試&打包工程

芯片封裝過(guò)程

1)背面磨削(BackGrind)

FAB(晶圓代工廠/Foundry)制作的厚晶片背面,用鉆石輪研磨成所需厚度的薄晶片,使其成為薄半導(dǎo)體的過(guò)程。

2)晶片切割(WaferSaw)

把由多個(gè)芯片組成的晶片分離成單個(gè)芯片。

3)芯片貼裝(DieAttach)

芯片貼裝,也稱芯片粘貼,從晶片上取下分離的良品單個(gè)芯片,并將其粘合到封裝基板上。

4)打線結(jié)合(WireBond)

將芯片焊接區(qū)電子封裝外殼基板進(jìn)行電氣連接。

5)塑封(Mold)

用熱硬化性樹(shù)脂EMC包裹基板,防止潮濕、熱量、物理沖擊等。

6)Marking

用激光刻印產(chǎn)制造商信息,國(guó)家,器件代碼等。

7)置球(SolderBallMount)

通過(guò)基板下表面安裝錫球(SolderBall),實(shí)現(xiàn)PCB和Package的電氣連接,

8)SawSingulation

使用封裝切割用的鉆石輪將基板分離單獨(dú)的產(chǎn)品?;葜菪酒瑴y(cè)試導(dǎo)電膠#導(dǎo)電膠# #DDR導(dǎo)電膠# #測(cè)試導(dǎo)電膠# #LPDDR顆粒測(cè)試# #254BGA#。

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「半導(dǎo)體專題講座」芯片測(cè)試(Test)

3.半導(dǎo)體測(cè)試(功能方面):直流參數(shù)測(cè)試(DCTest)/AC參數(shù)測(cè)試(ACTest)/功能測(cè)試(FunctionTest)

3-2.FunctionTest/ACTest

AC參數(shù)測(cè)試主要是測(cè)試一些交流特性參數(shù),如傳輸時(shí)間設(shè)置時(shí)間和保持時(shí)間等交流參數(shù)測(cè)試實(shí)際上是通過(guò)改變一系列時(shí)間設(shè)定值的功能測(cè)試。將處在Pass/Fail臨界點(diǎn)的時(shí)間作為確定的測(cè)試結(jié)果時(shí)間交流參數(shù)測(cè)試所需的硬件環(huán)境與動(dòng)態(tài)功能測(cè)試用到的硬件環(huán)境相同。通過(guò)這種方式像DRAM測(cè)試時(shí),把良品芯片按照速度和延來(lái)區(qū)分裝入的桶(Bin),并進(jìn)行分離的(Bin-Sorting)。BIN是指按SPPED對(duì)產(chǎn)品進(jìn)行分類,并在TEST程序中對(duì)具有類似不良類型的FAIL(不良)產(chǎn)品進(jìn)行分類,以便快速、方便地進(jìn)行分析。

PCR Rubber Socket「PCR導(dǎo)電膠」

Rubber SockePCR的主要特點(diǎn):

>具有良好的壓力敏感性。

>靈活接觸,具有良好的接觸面跟隨性。

>不會(huì)對(duì)接觸面造成傷害。

>由于不是用點(diǎn)而是用面接觸,所以耐位置偏移。直流電流、交流電流都能發(fā)揮優(yōu)異的性能。

>電感低,高頻特性優(yōu)良。

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在需要低電感、低電阻及低接觸特性的高頻檢查中發(fā)揮優(yōu)異的性能。

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Non-Coaxial RubberDDR存儲(chǔ)器的優(yōu)點(diǎn)就是能夠同時(shí)在時(shí)鐘循環(huán)的上升和下降沿提取數(shù)據(jù),從而把給定時(shí)鐘頻率的數(shù)據(jù)速率提高1倍。

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關(guān)于半導(dǎo)體工藝這點(diǎn)你要知道(3)光刻技術(shù)(Photo Lithography)工藝

3. 光刻工藝流程光刻工藝過(guò)程包括Surface Preparation->Spin Coating->Soft Baking->Alignment&Exposure->Post-expose Baking->Develop->Rinse-dry->Hard Baking。

1) 曝光Exposure

曝光工藝?yán)镉蠱ask Layer之間對(duì)準(zhǔn)精確位置的對(duì)準(zhǔn)(Alignment)過(guò)程和即通過(guò)向感光膜發(fā)射光線來(lái)形成圖案的Exposure過(guò)程。經(jīng)過(guò)這個(gè)過(guò)程圖形就形成,根據(jù)需要曝光可以在三種模式下進(jìn)行。

2) 顯影Develop

顯影(Develop)與膠片照相機(jī)沖洗照片的過(guò)程相同,此過(guò)程將確定圖案的外觀。經(jīng)過(guò)顯影過(guò)程后,曝光后會(huì)有選擇地(Positive,Negative PR)去除暴露在光下的部分,未暴露的部分,從而形成電路圖案。以上就是給大家介紹的在晶片上印半導(dǎo)體電路的光刻工藝。好像有很多混淆的地方。大家都了解了嗎?,8大工程完成3個(gè)工程;剩下的5道工序。革恩半導(dǎo)體導(dǎo)電膠測(cè)試座: 結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單材料損耗少 極高生產(chǎn)效率,可適應(yīng)大規(guī)模生產(chǎn)。蘇州導(dǎo)電膠有哪些

基于MTK平臺(tái)開(kāi)發(fā)LPDDR、EMMC、UFS測(cè)試儀器,并可根據(jù)客戶需求進(jìn)行因件及軟件調(diào)試。重慶芯片導(dǎo)電膠

關(guān)于半導(dǎo)體工藝,這點(diǎn)你要知道:(2)氧化(Oxidation)工藝

3、除此之外,影響氧化膜生長(zhǎng)速度的半導(dǎo)體尺寸越來(lái)越小,而氧化膜作為保護(hù)膜的作用是必要的,因此氧化膜的厚度是決定半導(dǎo)體尺寸的重要因素。因此,為了減小氧化膜的厚度,需要協(xié)調(diào)氧化過(guò)程中的各種變量。我們?cè)诘?節(jié)中討論過(guò)的濕法氧化,干法氧化也是其中變量的一種種類,除此之外,晶片的晶體結(jié)構(gòu),Dummy Wafer(為了減少正面接觸氣體或稍后接觸氣體部分的氧化程度差異,可以利用Dummy Wafer作為晶片來(lái)調(diào)整氣體的均勻度)、摻雜濃度、表面缺陷、壓力、溫度和時(shí)間等因素都可能影響氧化膜的厚度。

和我一起來(lái)了解一下氧化膜的作用,氧化膜是如何形成的,以及這些氧化膜的形成速度受哪些東西的影響。半導(dǎo)體八大工序中的兩個(gè)工序已經(jīng)完成;下節(jié)我們將討論在半導(dǎo)體上制作電路圖案的蝕刻工藝。重慶芯片導(dǎo)電膠

深圳市革恩半導(dǎo)體有限公司公司是一家專門從事芯片導(dǎo)電膠測(cè)試墊片,DDR測(cè)試、LPDDR測(cè),內(nèi)存測(cè)試儀器,內(nèi)存顆粒內(nèi)存條測(cè)試產(chǎn)品的生產(chǎn)和銷售,是一家生產(chǎn)型企業(yè),公司成立于2019-12-06,位于深圳市寶安區(qū)西鄉(xiāng)街道桃源社區(qū)臣田航城工業(yè)區(qū)A1棟305南邊。多年來(lái)為國(guó)內(nèi)各行業(yè)用戶提供各種產(chǎn)品支持。GN目前推出了芯片導(dǎo)電膠測(cè)試墊片,DDR測(cè)試、LPDDR測(cè),內(nèi)存測(cè)試儀器,內(nèi)存顆粒內(nèi)存條測(cè)試等多款產(chǎn)品,已經(jīng)和行業(yè)內(nèi)多家企業(yè)建立合作伙伴關(guān)系,目前產(chǎn)品已經(jīng)應(yīng)用于多個(gè)領(lǐng)域。我們堅(jiān)持技術(shù)創(chuàng)新,把握市場(chǎng)關(guān)鍵需求,以重心技術(shù)能力,助力電子元器件發(fā)展。深圳市革恩半導(dǎo)體有限公司每年將部分收入投入到芯片導(dǎo)電膠測(cè)試墊片,DDR測(cè)試、LPDDR測(cè),內(nèi)存測(cè)試儀器,內(nèi)存顆粒內(nèi)存條測(cè)試產(chǎn)品開(kāi)發(fā)工作中,也為公司的技術(shù)創(chuàng)新和人材培養(yǎng)起到了很好的推動(dòng)作用。公司在長(zhǎng)期的生產(chǎn)運(yùn)營(yíng)中形成了一套完善的科技激勵(lì)政策,以激勵(lì)在技術(shù)研發(fā)、產(chǎn)品改進(jìn)等。深圳市革恩半導(dǎo)體有限公司嚴(yán)格規(guī)范芯片導(dǎo)電膠測(cè)試墊片,DDR測(cè)試、LPDDR測(cè),內(nèi)存測(cè)試儀器,內(nèi)存顆粒內(nèi)存條測(cè)試產(chǎn)品管理流程,確保公司產(chǎn)品質(zhì)量的可控可靠。公司擁有銷售/售后服務(wù)團(tuán)隊(duì),分工明細(xì),服務(wù)貼心,為廣大用戶提供滿意的服務(wù)。

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