并且每個第二vcsel結構單獨地在襯底的表面上方延伸。本申請另一方面提供了一種激光源。該激光源包括：襯底；vcsel結構，vcsel結構在襯底的表面上并且在襯底的表面上方延伸，vcsel結構具有頂層；以及多個亞波長結構，多個亞波長結構在vcsel結構的頂層上，其中，多個亞波長結構中的一個或多個亞波長結構包括芯材和殼材，殼材在芯材的一個或多個表面。附圖說明參考附圖，隨著下面的詳細描述的繼續(xù)，請求保護的主題的實施例的特征和優(yōu)點將變得明顯，在附圖中：圖1示出了根據本公開的實施例配置的光投影儀系統。圖2提供了根據本公開的實施例配置的光投影儀系統的更詳細的圖示。圖3示出了根據本公開的實施例的用在光投影儀系統中的光源的自頂向下的視圖。圖4示出了根據本公開的實施例的用在光投影儀系統中的光源的側視圖。圖5提供了根據本公開的實施例的具有不同孔徑寬度的設備的示例激光光譜。圖6示出了根據本公開的實施例的用在光投影儀系統中的光源的自頂向下的視圖。圖7示出了根據本公開的實施例的具有亞波長結構的光源的一部分的側視圖。圖8示出了根據本公開的實施例的亞波長結構的更詳細的視圖。圖9a至9c示出了根據本公開的實施例的示例亞波長結構。菲涅爾透鏡聚光技術規(guī)范。江蘇遠紅外透鏡定制價格

可以實現多種功能，例如聚焦、發(fā)散、偏折、貝塞爾透鏡、高透射率等；(2)本實用新型的可調二維聲學超材料透鏡使用了機械旋轉的可調機制，這是一種實時的調控方式，二維聲學超材料透鏡的各種功能可以隨著單元結構的旋轉實時變化；(3)本實用新型的可調二維聲學超材料透鏡設計簡單，所有單元都是幾何結構、尺寸相同的c型單元結構，樣品的加工由3d打印技術實現，加工方便，機械旋轉的調節(jié)機制相比于溫度、嵌入式電磁鐵、壓電材料、薄膜結構等調節(jié)機制相比結構簡單，易于實現；(4)本實用新型的可調二維聲學超材料透鏡的原材料采用光敏樹脂，制得的聲學聚焦透鏡具有輕質量和低成本的特點；(5)本實用新型的可調二維聲學超材料透鏡的具有寬帶特性，在寬頻帶范圍內各種功能均具有良好的效果；(6)與傳統的聲學透鏡相比，本實用新型的可調二維聲學超材料透鏡結構簡單靈活，有良好的通用性，通過改變結構的尺寸便可設計在不同工作頻點，整個透鏡為平面結構，相比其他透鏡，易集成，適于推廣應用。附圖說明圖1是本實用新型實施例中旋轉可調的多功能二維聲學超材料透鏡的三維示意圖；圖2是本實用新型實施例中旋轉可調的多功能二維聲學超材料透鏡的c型單元結構示意圖，。山東紅外透鏡結構菲涅爾透鏡生產廠家訂制價格。

將其波陣面形成為期望的形式。當諸如柱體或圓柱之類的中心對稱亞波長特征被用作散射器時，sws設備可以利用非偏振光(像來自vcsel一樣)進行操作。圖7示出了具有襯底302的示例光源，其中，該襯底302具有多個vcsel結構702。根據實施例，多個sws704被圖案化在一個或多個vcsel結構702的上表面上或其附近。提供sws704以改變從給定vcsel結構702的上表面發(fā)射的光的相位?？梢詸M跨vcsel結構702的表面不同地改變相位，以使得一些區(qū)域創(chuàng)建發(fā)射光的相長干涉同時其他區(qū)域創(chuàng)建發(fā)射光的相消干涉。通過控制相長/相消干涉的區(qū)域所在的位置，還可以控制發(fā)射光的波束形狀(例如，圖案)?？梢岳獾厥褂酶哒凵渎什牧?>)來形成sws704。例如，用于波束成形的sws已經被開發(fā)用于使用諸如硅之類的高折射率材料的近紅外光。下面的表1提供了不同可見光波長(460nm-藍、550nm-綠、以及650nm-紅)下的各種材料的折射率。諸如硅之類的材料可以具有高折射率，但是這些材料還可以吸收可見范圍(例如，紅、綠、藍)中的不期望的大百分比的入射光(例如，40％或更多)。一直認為可見波長透明材料(例如，折射率大約為(si3n4))不具有足夠高的折射率來支持有效地操縱光學波振面所需要的光學諧振。諸如氧化鈦。

匯聚了更多的能量，因而需要較小的電池片面積，較大節(jié)約了成本。應用菲涅爾透鏡能夠將太陽光聚焦到入光面1/10至1/1000甚至更小的接收面（高性能電池片）上，比傳統平板光伏（FPV)發(fā)電效率提高30％以上，滿足太陽能聚光發(fā)電（CPV)和聚熱系統（TPV)中高能量高溫需求。大型航標燈特用菲涅爾透鏡配合海上燈塔光源而特別設計；其焦距短，透光率高；光線發(fā)散角小。在氣象能見度10海里的條件下，燈光射程可達30海里。放大鏡是菲涅爾透鏡相對簡單的應用案例。通常來說，一個放大鏡是正焦透鏡，形成虛擬正立圖象。菲涅爾透鏡的材料哪里有賣的？

示例39包括示例33至38中任一項的主題，其中，芯材和殼材具有大約λ/2的厚度，其中，λ是光源的峰值輸出波長。示例40包括示例33至39中任一項的主題，其中，殼材包括硅。示例41包括示例33至40中任一項的主題，其中，芯材具有基部和頂部，并且基部比頂部寬。示例42包括示例33至40中任一項的主題，其中，芯材具有基部和頂部，并且基部比頂部窄。本文采用的術語和表述被用作描述性術語而非限制性術語，并且使用這些術語和表述不意在排除所示出和描述的特征(或其部分)的任意等同，并且應認識到在權利要求范圍內的各種修改是可能的。因此，權利要求用于覆蓋所有這些等同。本文已經描述了各種特征、方面、和實施例。根據本公開將理解的是，這些特征、方面、和實施例易于相互組合以及做出變形和修改。因此，應該認為本公開涵蓋這些組合、變形、和修改。期望本公開的范圍不受限于具體實施方式，而是由所附權利要求來限定。要求本申請的優(yōu)先權的未來遞交的申請可以通過不同方式請求保護保護所公開的主題，并且一般可以包括這里的各種公開或者以其他方式表達的一個或多個元素的任意。菲涅爾透鏡制取檢測技術。定制紅外透鏡結構設計

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圖3示出了根據實施例的光源202或者光源202的至少一部分的自頂向下的視圖。光源202包括襯底302，該襯底具有布置在襯底302的表面上的多個vcsel結構304。在一些實施例中，襯底302可以是：包括第iv族半導體材料(例如，si、ge、sige)、第iii-v族半導體材料(例如，gaas、gaassb、gaasin)、和/或根據本公開將明白的任何一種或多種其他適當材料的大塊襯底；絕緣體上的x(xoi)結構，其中，x是前述材料(例如，第iv和/或iii-v族半導體材料)之一，絕緣體材料是氧化物材料或介電材料或者一些其他電絕緣材料，從而xoi結構包括兩個半導體層之間的電絕緣材料層；或者一些其他適當的多層結構，其中，頂層包括前述半導體材料(例如，第iv和/或iii-v族半導體材料)之一。這里使用的“第iv族半導體材料”(或“第iv族材料”或統稱“iv”)在包括至少一種第iv族元素(例如，硅、鍺、碳、錫)，例如，硅(si)、鍺(ge)、硅鍺(sige)等。這里使用的“第iii-v族半導體材料”(或“第iii-v族材料”或統稱“ii-v”)包括至少一種第iii族元素(例如，鋁、鎵、銦)和至少一種第v族元素(例如，氮、磷、砷、銻、鉍)，例如，砷化鎵(gaas)、砷化鎵銦(ingaas)、砷化鋁銦(inalas)、磷化鎵(gap)、銻化鎵(gasb)、磷化銦。江蘇遠紅外透鏡定制價格

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